Waar de huidige bondingprocessen grotendeels gebaseerd zijn op empirische optimalisatie, richt dit onderzoek zich op het ontwikkelen van voorspellende modellen die oppervlakteactiveringsprocessen, oppervlakteruwheid en omgevingscondities koppelen aan de resulterende bondingsterkte. Deze modellen beschrijven hoe de combinatie van korte- en langgolflengte ruwheidscomponenten, contacthoek en chemische oppervlakte-eigenschappen gezamenlijk de uiteindelijke bonding bepalen, ondersteund door gestandaardiseerde meetprotocollen voor bondingsterkte.
De resultaten verdiepen niet alleen het fundamentele begrip van het hydrofiele waferbondingproces, maar dragen ook bij aan een beter voorspelbaar en efficiënter 3D-integratieproces in de halfgeleiderindustrie.