Het voortdurend verbeteren van de apparatuur voor de productie van halfgeleiders is essentieel voor de productie van geavanceerde chips, in het bijzonder voor SiC-halfgeleiders voor de volgende generatie power devices welke een cruciale rol zullen spelen in de energietransitie en duurzaamheid, digitalisering en slimme industrie, en de circulaire economie.

SiC-halfgeleiders bieden een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische break down veldsterkte, 3x de bandafstand en thermische geleidbaarheid, en maakt een breder scala aan p- en n-type controle mogelijk. Dit resulteert in baanbrekende prestaties die niet mogelijk zijn met silicium, waardoor SiC de meest haalbare opvolger is voor de volgende generatie power devices.

Dit project stimuleert baanbrekende innovatie in Wafer-Fab-apparatuur voor de productie van SiC-halfgeleidermateriaal en de verwerking van SiC-wafels via epitaxiale depositie. Nauwe samenwerking met industriële partner Schunk Xycarb Technology zal industriële toepassingen en valorisatie van de resultaten en fundamentele kennis die in dit project worden ontwikkeld een impuls geven.