Plasma-oppervlak-interacties (Engels: PSI) hebben een cruciale invloed op de prestaties en levensduur van optische componenten in EUV-lithografiesystemen. Een gangbare aanname is dat geëxciteerde elektronen effectief plasma-ionen neutraliseren door Auger-processen bij impact.
Als gevolg daarvan beïnvloedt de Auger capture rate de kinetische energie van de ionen en hun vermogen om het materiaal te beschadigen. In dit project wordt een simulatie-instrument ontwikkeld op basis van het zogenaamde atoom-in-jellium model om Auger capture rates op een rekenkundig efficiënte manier te berekenen.