De functionele eigenschappen van moderne nano-devices, zoals producten uit de semiconductor industrie, zijn afhankelijk van parameters van hun interne structuur, zoals laagdikte, dichtheid en scherpte van grensvlakken tussen de lagen. Een afwijking van een dergelijke parameter voorbij de aanvaardbare toleranties - vaak in fracties van nanometers - zal direct ertoe leiden dat het device (de chip) niet meer goed functioneert.

Karakterisering van nano-structuren

De optimalisatie van het productieproces van dergelijke apparaten vereist een efficiënte en nauwkeurige metrologie, die in staat is alle essentiële parameters efficiënt te karakteriseren. Er zijn meerdere meettechnieken die individuele parameters kunnen analyseren, maar een alomvattende karakterisering van nano-structuren blijft een uitdaging.

Efficiënte metrologie voor gelaagde nano-structuren

De huidige methodes die gebruikt worden bij universiteiten of onderzoeksinstituten zijn effectief, maar vaak zeer complex en daardoor beperkt toepasbaar in een industriële omgevingen. MOXY streeft ernaar de wetenschappelijke basis aan te tonen voor een efficiënte metrologie voor gelaagde nano-structuren, en als zodanig cruciale ontwikkelingen voor bijvoorbeeld de semiconductor industrie ondersteunen.

Meerdere datasets binnen één model

We zullen een hybride metrologie methode verkennen, die meerdere datasets combineert binnen één enkel mathematisch model. Met MOXY willen wij verschillende röntgentechnieken integreren, waaronder röntgenreflectiviteit, staande golven en röntgenverstrooiing, als een ‘one-shot’ complete structurele analyse van dunne lagen in nano-structuren.